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第四代3D NAND芯片明年将量产,采用替代栅极架构

2019-10-09 来源:中关村在线

幸运彩快三平台行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇,近日,根据最新消息显示,美系幸运彩快三平台巨头,美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构,将于明年开始小范围量产。

根据知情人士透露,美光新型替代栅极架构将首次应用在128层闪存之中,继续沿用CMOS阵列,新一代的替代栅极结构有望让Die size和成本进一步减小。

幸运彩快三美光集团CEO对此表示,目前已经成功完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片,这一里程碑的进展降低了产品幸运彩快三官网向下一代幸运彩快三官网过渡的风险,并且强调首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品上,先期会被应用到特定的产品线。